یکی از جدیدترین حافظه های موجود برای اندوخته اطلاعات ازطریق رایانه است ، با این تفاوت که حجم ظرفیت آن به مراتب بیشتر از فلاپی و سی دی است.
ویژگی:
1-اسیب پذیری کم نسبت به ضربه .
2-حجم بالای ظرفیت
3- قابلیت جابه جایی راحت و آسان
4-بازیابی تند اطلاعات نسبت به فلاپی .
حافظه های الکترونیکی در انواع متنوع و برای مصارف گوناگون ساخته شده اند . حافظه های پیکان به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و در ضمن بهره‌گیری بی اندازه راحت بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این جهت در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد بهره‌گیری روز افزون از آنها هستیم .
شیوه اندوخته اطلاعات در این نوع از حافظه زیاد مانند به اندوخته اطلاعات در RAM می باشد . در حقیقت حافظه های فلش مموری تبلیغاتی در روش فعالیت همانند یک منبع ذخیره اطلاعات مقاوم عمل می کند . به این معنی که در آنها هیچ تکه متحرکی به شغل نرفته و تمام کارها بدست مدارات الکترونیکی سپریدن می شود . در مقابل تو دیسک های مشکل چندین سرنوشت متحرک هستی دارد که این وضع خویش آفت پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های پیکان نشان می دهد .
قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های پیکان چگال شده که در دوربین های دیجیتالی به پیشه می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و کارت های حافظه که در کنسول های بازی به شغل می روند همه و همه از این گونه حافظه کاربرد می کنند .
در این تقدیر به فن آوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی کوتاهی داریم . حافظه های پیکان از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همانگونه که در مقالات پیشین ذکر شد در این نوع از حافظه ها اندوخته و حذف اطلاعات توسط جریان های الکتریکی صورت می پذیرد . این نوع تراشه ها درون سطر ها و ستون های گوناگون شبکه ای منظم را پدید می آورند . در این شبکه هر تقسیم کوچک دارای عدد سطر و ستون مختص به خویش بوده و در اصطلاح هر کدام از این دسته ها یک سلول حافظه نامیده می شود . هر کدام از این سلول ها ازتعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر کدام از این سلول ها بدست لایه های اکسید از سایر سلول ها متمایز می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور سرشناس با اسم های Floating gate و Control gate بهره‌گیری می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و لغایت زمانی که وابستگی بین این دو ترانزیستور برپا باشد ، این سلول حائز ارزش ١ می باشد . این سلول ها می توانند حائز ارزش ١ و یا ٪ باشند .
Tunneling :
این طریق برای تغییر دادن فضا الکترون های برپایی شده در Floating gate بکار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الکترونیکی بین ١٪ الی ١٣ ولت می باشند که این میزان بدست Floating gate استفاده می شود . در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال مایه می شود که این ترانزیستور مثل یک تفنگ الکترونی وارد عمل شود . این تفنگ الکترونی ، الکترون ها به بیرون لایه اکسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود.
در اینجا واحد مخصوصی به اسم حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می کند . اگر مقدار این سیگنال که از وسط دو ترانزیستور می گذرد کمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ٪ ثبت می شود . بیان این نکته ضروری است که این سلول ها در حالت عادی حائز ارزش ١ هستند .
با این توضیحات ممکن است فکر کنید که تو رادیو خودروی شما یک حافظه پیکان قراردارد . صحیح گمان زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیوئی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM اندوخته می شود . البته شیوه ثبت و حفاظت اطلاعات در این نوع حافظه به کلی با Flash memory فرق می کند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یک منبع الکتریسیته بیگانه بیچارگی دارد . در صورتی که حافظه های فلش بدون دربایستن به منبع بیگانه اطلاعات را ثبت و ضبط می کنند
زمانی که شما اتومبیل خود را خاموش می کنید جریان زیاد کمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان زیاد ناچیز برای حفظ اطلاعات شما کافی می باشد . ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا متمایز کردن سیم برق کلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود
امروزه این فن آوری ، آنقدر تند توسعه می یابد که لغایت چند سنه دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ٤٪ گیگا بایت در فضائی به اندازه یک سانتی متر مربع هستیم . هم اکنون نیز این حافظه ها در ابعاد زیاد حقیر در گنجایش های متنوع در دسترس کل پیمان دارد